中國這麼大的國內市場，一個產業集羣的消化能力是非常可觀的——請時刻注意，中國國內內需市場，是一個非常龐大的市場。 也許需要國內的芯片製造中下游廠商，聯合投資成立一家類似ASML股權模式的芯片製造裝備的公司，面向國內芯片行業的廠商提供相應的裝備，形成產業一條龍集羣。 最近ASML的負責人還表示，對中國的芯片出口禁令，傷害最大的恰恰是歐美半導體行業，他甚至預測，15年之內，中國將會追趕上來，有能力生產任何產品。 浸沒液體相比於傳統氣體介質具有較高粘度，粘性力的增強，使得壓力驅動下浸沒液體對投影物鏡的作用力將變得越來越不可忽視。 作用在物鏡表面的應力如果過大將使物鏡產生變形和位移，並引起雙折射與光路失真，如缺乏有效控制，將造成曝光成像的缺陷。 目前國內在NA1.35浸潤式物鏡系統的研發上進展如何尚不清楚。
題外話，由於硅片是圓的，所以需要在硅片上剪一個缺口來確認硅片的座標系，根據缺口的形狀不同分爲兩種，分別叫flat、notch。 同時Fin 結構本身具有較高的高寬比，因此在Fin 刻蝕工藝的時候，會形成下圖中的楔形形貌，從而使得Fin 頂端尺寸比SAQP工藝形成的最終掩模尺寸更小，進而在最終產品中形成線寬爲 6nm 的Fin 結構。 鄭重聲明：本文由 @諸葛無毒原創，全文所有測試數據和結論，僅針對所測試的產品，不涉及該品牌其他產品，評測結果僅供參考，本文所有內容，未經授權，禁止轉載和引用。 這37款熱門檯燈的各方面表現，咱們大概都清楚了，但還是會有人，不知道該怎麼選擇，不知道哪款檯燈更值得入手。 4）總的來說，排名最後的10款檯燈(有標紅色)，個人認爲都不推薦考慮。 其他27款檯燈，則都是可以考慮的，雖然這27款綜合表現有高有低，個別檯燈會有一些扣分方面，但還是可以擇需選擇的，比如看中外觀可選外觀最中意的，看中顯指可優先選顯指高的，看中價格則選價格便宜的。
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簡單來講，一般燈珠間距越大，且光源與被照物的距離越小，重影也越明顯。 這方面，主要是考覈人眼平視檯燈時，會不會看到檯燈光源燈珠，會不會看見光源內壁等等，正常情況下，應是看不到的。 我對幾個重要方面的官方數據，簡單分析了下，把每個維度下數據更優或更靠前的檯燈，進行了篩選，具體如下。 掩模板裝載單元的主要功能是把掩模板從放置掩模板盒架中取出，送到掩模板工作臺上。 其工作步驟是：從放置掩模板的盒中取出掩模板，對其進行掃描；掃描後，用定位擋塊進行掩模板位置粗校準，然後再由機械手放置於工作臺上。 當掩模板在工作臺上等待位置粗校準時，激光透射感應器將判斷掩模板是否存在。
會帶來兩大問題：一個是光刻加掩模的成本迅速上升，另一個是工藝的循環週期延長。 因而，在22nm的工藝節點，光刻機處於EuV與ArF兩種光源共存的狀態。 EUV光刻機，作爲下一代光刻技術的代表，則有可能使工藝製程繼續延伸到5nm[2]。
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一般是差異越小越好，差異越小，表明距光源中心的各個距離方位的投光大小，比較均勻。 上海微電子duv2025 上海微電子duv 上海微電子duv2025 1）這37款檯燈，除歐普元尊、孩視寶NC17-V和明基MindDuo(40cm高度時)，其他檯燈的照度和照度均勻度，都完美符合國AA級標準，30cm處和50cm處的120°扇形區域均勻度都≤3。 加上我有點強迫症，光每款檯燈的擺放，都要花費我10分鐘左右時間，因爲檯燈圓心位置有一點不對，就會造成較大數據誤差來，位置擺錯一點，叭~，一切得白費。 1）大部分檯燈的阻尼感，都很優秀，其中明基MindDuo、飛利浦軒坦、松下致巡和Yeelight Pro這4款阻尼感體驗特別好。 ①在這37款檯燈中，軸數最高爲5軸，有飛利浦軒泰和米家飛利浦讀寫檯燈，這2款檯燈轉軸調節角度和方位都非常廣，可調節高度也很高，檯燈調節非常自由靈活。
- 據韓國媒體統計，在全球芯片廠商100強中，大陸廠商就佔據了42家。
- 從官方數據看，幾個重要維度數據表現較好的檯燈，總結如上，那麼事實是否真的如此呢？
- 一臺不能量產，設備每年要撒大把的錢去維護保養，後續費用和產線配套投入更可觀。
- 下圖是 ASML EUV roadmap, 隨着EUV 設備 NA 的增大，可以使得EUV 的最終分辨率達到小於 7nm, 從而使得2nm 製程也成爲可能。
- 不僅如此，工信部科技司也於2月公佈了《全國集成電路標準化技術委員會籌建公示》。
柵極壁越薄漏電率越高，而柵極壁越厚主頻越難提升(材料不變的情況下)然而精度再高也解決不了物理問題。 我覺得這件事看起來很簡單並且非常好理解，芯片工藝的神祕大門已經爲你打開，而延展的細節，如果你是即將步入大學的電子信息工程專業的朋友，恭喜你將會學到禿頂。 而目前的光刻機物鏡，要達到拿193nm光刻波刻錄單位精度7nm的效果，物鏡並沒有上圖看到的那麼簡單。
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這10款檯燈，都有挺多拉低評分的方面，比如松下致沐下軸阻尼和調節都不太OK，孩視寶NC17-V下軸做工不行且50cm處照度值低於250lx，好視力TG032-TN材質做工都不行等等。 另外，飛利浦這2款檯燈，有問題檔位的閃爍百分比，超過限值不多，考慮誤差等因素，故飛利浦這2款檯燈的分析結論，僅供參考。 1）總的來說，大部分檯燈無論是最大檔，還是最小檔，其閃爍數據都處於無顯著風險區內，閃爍百分比和閃爍指數都OK。 不過測試儀器的採樣頻率和採樣時間，還得需要根據測試儀器的功能來調整 ，比如我用的遠方SFIM-400，它的採樣時間與採樣頻率對應如下。 上海微電子duv2025 4)飛利浦軒泰、孩視寶OH13-V和歐普元睿Pro，這3款檯燈開燈30分鐘後，用手去摸燈罩外殼和出光面，熱感都非常小，跟沒溫度似的，摸着跟開燈前一樣。
據長春國科精密官網，目前，長春國科精密作爲“國家科技重大專項02專項”支持的唯一高端光學技術研發單位，正在承擔NA0.82、NA1.35等多種類型高端IC製造投影光刻機曝光光學系統的技術研發及產業化推進工作。 上海微電子duv 根據“02專項計劃”，我國光刻機研發工作亦採用類似“Out House”的研發模式，上海微電子負責整機的設計與集成，另有五家企業各自負責對光刻機不同核心零部件的研發。 今年早些時候曾傳出消息，稱上海微電子已經研發出可用於22nm芯片生產的光刻機，但並未透露相關光刻機型號，芯東西也未找到確鑿的信源。 上海微電子duv2025 要知道，此前上海微電子能量產的最先進光刻機，已被卡在90nm製程上四年之久。 但是，現在時間邁進12月中旬，我們卻並未看到有關這臺光刻機的確鑿消息。 北京郵電大學經濟管理學院教授呂廷傑接受官媒央視採訪時就稱，從目前全球各機構對華爲新機的拆解觀察，華爲裝配的“麒麟9000s”七奈米晶片和其他該手機內的一萬多種零組件，基本上已實現了“國產化”。
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光刻機是以刻蝕塗膠硅片爲目的的設備，因此其外觀造型必須得符合光刻功能結構的要求，不能因爲造型需要而妨礙功能結構，阻礙了光刻機功能實現。 值得一提的是，這五家承擔核心零部件研發企業，均與中國頂尖高校聯繫緊密，代表着中國最頂尖的半導體研發實力。 但是，各方已經開始關注，美國在雷蒙多訪問之行意外收到中國來的“大禮”之後，美國是否會加大制裁範疇。 根據《華盛頓郵報》，華爲新機的推出在華府已造成擔憂，批評者稱，拜登對中國半導體的鉗製成效如何值得重新檢討。 9月5日，美國白宮國家安全顧問蘇利文（Jake Sullivan；沙利文）在記者會上回應說，在獲得有關華爲新手機技術的組成資料前，不會對特定晶片和問題發表評論。 上海微電子duv2025 更重要的是，有專家認爲，華爲此次在美國商務部長雷蒙多拜訪北京的時機點上推出新機，政治信號濃厚，預計美國將對中國半導體祭出更強烈的制裁，並擴大審查與中國半導體及有關產業鏈。
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所以通過減少Dummy Gate的使用，單位面積下能容納的Cell/晶體管是直接增加的。 根據Intel的數據顯示，應用SDG後，芯片密度可以提升大約20%。 莫大康指出，高性能光刻技術對中國企業來說成本高昂，但是其戰略意義不容忽視。 中國要推進完整的光刻工業體系的發展，只能採取從低到高的策略，比如193nm深紫外ArF乾式光刻機、浸沒式光刻機，以及周邊設備材料開始。 上海微電子duv2025 上海微電子duv2025 14nm工藝是當前芯片製造領域的一個分水嶺，掌握14nm工藝節點的廠商只有臺積電、英特爾、三星、格羅方德、聯電和中芯國際。 中芯國際14nm工藝良率已達業界量產水準，在全球代工廠中規模僅次於臺積電和聯電。
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光刻機可分爲無掩模光刻機和有掩模光刻機，前者技術壁壘相對較低，一般用於高分辨率掩模版、集成電路原型驗證芯片等特定芯片的小批量製造。 而卡住國產半導體產業鏈“脖子”的，則是技術壁壘較高的有掩模光刻機，有掩模光刻機目前多用於先進製程的前道工藝中。 相比90nm製程芯片，28nm製程的芯片能製造出性能更爲優越的芯片產品。 儘管短時間內可能無法實現193nm ArF浸沒式DUV光刻機的量產，但這一技術突破的戰略意義毋庸置疑。 半導體產業鏈三種權利：設計權（決定創新和供給）+代工權（決定安全和產能）+設備權（決定產業鏈安全和工藝底層突破）。 我們認爲，芯片產業全球化分工使設計與製造環節分離，存在供應鏈的地理分割，加劇了受外部因素影響而供需失衡的風險， 因此企業向產業鏈前端滲透、實現自主可控已是大勢所趨。
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⑤從【整機重量】上看，明基MindDuo最重，達3.21kg，其次是飛利浦軒泰；而歐普米格M和雷士Q86這2款檯燈最輕，才600多克。 明基MindDuo的重量主要來自底座，由於底座跟燈杆是靈活連接的，搬動這款檯燈時，建議一定要分離底座或手託着底座，不然容易脫落砸到腳。 在價格方面，這15家品牌的37款檯燈，價格最低的爲90多元，最高的有近2000元，在挑選中，也發現一個印象：照度等級達國AA的讀寫檯燈，基本都在百元及以上，百元以下數量極少。 當光刻機的內部出故障時，維修人員可以輕鬆的維修內部零部件。
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另一方面，10nm在實踐中也是極度失敗的，把Intel帶到了坑裏。 關於10nm爲什麼難產，以及到底怎麼影響了Intel，且聽下回Intel 上海微電子duv 次時代工藝的文章。 上海微電子duv 上海微電子duv2025 衡量一個工藝的性能是最爲麻煩的事情，高性能工藝和低功耗導向的工藝難以直接比較，不同的庫的產品也難以比較，因此關於10nm的性能分析非常主觀，僅供參考。 不過需要注意的是，依據目前的情況分析，Intel有且僅在Intel 7和之後的工藝上使用了60nm CGP，而且應該均爲UHP庫。
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半導體產業鏈可分爲芯片設計、製造、封測三大環節，在芯片製造幾百道工序之中，光刻是最重要的步驟之一，直接定義了晶體管的尺寸。 芯東西挖掘國產193nm ArF浸沒式DUV光刻機背後的研發故事，發現除了國產光刻機龍頭上海微電子，其他5家“低調”的企業亦承擔了重要角色。 上海微電子duv 今年六月份有消息傳出，國產光刻機龍頭上海微電子將在一年內交付用於28nm製程生產的193nm ArF光刻機。 卡普里告訴BBC，他預期白宮將更仔細地審查中芯國際對較老一代的美國或他國機器設備的使用情況，以及其他關鍵的產品輸入。 9月8日，彭博社報導美國商務部表示，將對華爲新機的晶片及裝配展開調查。
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由此，網上出現“今年搞定28nm光刻機的目標已經失敗了，上海微電子沒有通過02專項的國家驗收”的消息也不難理解。 當然，這個消息是否真的屬實，目前並沒有官方的回應，即便該傳聞屬實，這個鍋可能也並不能完全讓上海微電子來背。 觀察者網注意到，中國光刻機生產商上海微電子（Shanghai Micro Electronics Equipment（Group） 上海微電子28nm光刻機 Co． 而就在昨天，上海微電子剛剛舉行首臺2.5D/3D先進封裝光刻機發運儀式，這意味着中國首臺2.5D/3D先進封裝光刻機正式交付客戶，引發中國社交媒體一片熱議。 未來隨着國產芯片產業不斷發展，我們的國產光刻機、國產芯片一定能夠實現從低端到高端的發展，這也是中國過往衆多企業、產品的發展路線，從低端到高端的蛻變。
不過，在對光刻精度要求較低的封裝光刻機、 LED/MEMS/功率器件光刻機、面板光刻機市場，上海微電子則取得了不錯的成績。 目前該市場中競爭者數目多於 IC 前道光刻機市場，光刻機三大巨頭之一的Nikon 的光刻機業務也開始向利基市場進行轉移。 從長江存儲、華力微、華虹無錫、中芯紹興以及株洲中車的光刻機採購情況來看，各產線 19Q4 至今光刻機合計採購量可觀，預示其 2020 年內資產線資本支出將進一步提升。 目前光刻機主要可以分為 IC 前道製造光刻機（市場主流）、IC 後道先進封裝光刻機、LED/MEMS/Power Devices 製造用光刻機以及面板光刻機。 雖然臺積電已經掌握了5nm芯片工藝，但是一直無法擺脫美國的限制，製造的芯片十分依賴荷蘭ASML公司的光刻機。 對於芯片的製造，應該大部分人十分清楚，光刻機是不可或缺的核心設備。
上海微電子duv: 上海微電子的 90 納米光刻機已經通過了驗收，現在在哪個公司有實際應用？
在產業化技術能力上，國際光刻膠企業針對核心產品建立了較全面的專利體系和地區覆蓋。 上海微電子duv 半導體光刻膠隨着市場對半導體產品小型化、功能多樣化的要求，而不斷通過縮短曝光波長提高極限分辨率，從而適配不斷發展的光刻工藝。 上海微電子duv 需要強調，儘管近年來光刻膠與芯片一起反覆爲媒體所提及，但它從來不是隻用於半導體生產，甚至在三個主流應用領域（半導體、PCB、LCD）裏，半導體光刻膠的市場規模也最小。
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不過也許這顆DSP芯片已經集成了部分人工神經網絡的學習算法，也可能可以執行雲服務器上已經訓練好的算法。 雖然硬件上不具有這樣的結構，但是它具有NPU的功能，將其稱之爲NPU也是完全沒有問題的。 根據Intel的數據，10nm SuperFin的首代工藝10SF對比上一代10+的性能提升18%。 具體來看，在同樣情況下，10SF同電壓從10+的3.9G提升到了4.6G附近，也是18%的提升。 所以最後結合Tiger Lake的單核極限提升超過20%，那麼認定10SF相對於10+同樣電壓下提升18%的性能是非常可靠的。 由於這裏缺乏功耗的提升情況，按照Intel一般同電壓提升X%性能，同性能下降2X%功耗的規律，那麼姑且認爲功耗爲0.64X。
目前世界主流光刻機市場主要被荷蘭的 ASML、日本的 Canon 和 Nikon 壟斷，其中高端極紫外光刻機（EUV）的市場份額更是由荷蘭 ASML獨佔鰲頭。 據中時新聞報道，EUV 光刻機製作難度極高，因為一部 EUV 光刻機內有超過 45 萬件零件，比一輛 F1 賽車多出 20 倍以上。 而即使就算是EUV 光刻機巨頭 ASML 亦只能生產其中 15%，另外 85% 需要整合全球供應鏈得來。 ASML的光刻機，使用波長短的極紫外光，光學系統極複雜。 就算你有頂級的鏡頭和光源，但沒極致的機械精度，也是白搭。 光刻機裏有兩個同步運動的工件臺，一個載底片，一個載膠片。
趁着這幾年中國大規模芯片擴產之際，ASML加速交付中國市場DUV光刻機，待中國國產光刻機進入市場時，市場空間還有多少？ 最重要的，當時還是國產光刻機儘早上市，並確保性能、質量，但也還需要國內半導體產業在國產光刻機起步時給以支持。 上海微電子28nm光刻機 上海微電子duv 近年來，我國對半導體設備的需求增長迅速，在去年已經成爲全球最大的半導體設備市場，各行各業對於芯片的需求量也逐漸加大，然而就在這個關鍵時期，國內諸多企業卻遭到了美國無端制裁。
