如今，最新的消息傳來，上海積塔雖然沒有選擇上海微電子的光刻機設備，卻選擇了上海微電子的工藝檢測設備，共計4臺。 工研院產業科技國際策略發展所研究總監楊瑞臨（Ray Yang） 也說，中芯國際可以使用 DUV 上海微電子 duv2025 上海微電子 duv2025 製造 7奈米晶片，但良率非常低，也不具成本優勢。 當前因華為不能找外國代工廠，中國嚴重依賴中芯生產其急需的晶片，可能用於「非商業性的特殊用途」。
- 化學氣相沉積是指不同分壓的多種氣相狀態反應物在一定溫度和氣壓下在襯底表面上進行化學反應，生成的固態物質沉積在晶圓表面，從而獲得所需薄膜的工藝技術。
- 臺積電在7nm芯片上中的12層使用EUV，68層都使用DUV。
- 根據遠方SFIM-400的數據，如果選擇採樣時間爲1s，那麼採樣頻率最大爲3.125KHz，在實測中，我選擇的是50ms的採樣時間，然後進行1分鐘的連續測試，來彌補採樣時間。
- 因爲各大廠商都在擴大成熟工藝產能，必然會導致成熟工藝產能過剩，中芯國際提前佈局，就是防止產能過剩，因爲設備折舊會造成了巨大的損失。
- 粗調整後，晶圓被送到晶圓工作臺上，用電荷耦合裝置(Charge Coupled Device，CCD)來捕捉晶圓的位置圖像，計算出更爲精確的晶圓位置細對準偏差值。
掃描光刻機將圖案（例如線條和空間）從掩模轉移到光刻膠後，會使用 CD-SEM 來測量圖案的關鍵尺寸。 通過這類測量可持續校準掃描光刻機和工藝製程，以便在刻蝕到晶圓前確保圖案正確。 隨着 EUV 的出現，特別是高數值孔徑 EUV 的問世，光刻膠越來越薄，測量器件特徵的關鍵尺寸變得更具挑戰性。
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在中國賺取暴利的蘋果公司，同樣在推動供應鏈的“去中國化”，時間點是未來3-5年左右，同時，蘋果正在加大印度工廠、越南工廠的訂單，把印度打造成iPhone全球製造中心。 從那一天起，美國已經悄悄地在推動高科技企業的“供應鏈本土化”，從供應鏈安全層面也是無可厚非的，後來則不加掩飾，將科技戰拋到了前臺。 當前，半導體戰爭，特別是芯片戰爭，已經成爲真正的國運之戰，不是舊時代的熱戰，而是頂尖層次的科技戰，決定國家之間的未來戰略主導權、產業鏈生存權。 在俄羅斯和烏克蘭的戰爭之中，俄羅斯開始佔盡優勢，後來烏克蘭得到了先進的西方武器，戰爭局勢發生了轉變。
- 我覺得這件事看起來很簡單並且非常好理解，芯片工藝的神祕大門已經爲你打開，而延展的細節，如果你是即將步入大學的電子信息工程專業的朋友，恭喜你將會學到禿頂。
- 據方正證券今年發佈的一份研報，在02專項光刻機項目二期中，設定於2020年12月驗收193nm ArF浸沒式DUV光刻機，這款光刻機直接對標國際光刻龍頭ASML現階段最強DUV光刻機TWINSCAN NXT：2000i。
- 第三代掃描投影式光刻機(DUV Scan)，光源採用DUV深紫外波長248nm KrF激光，曝光方式改爲掃描投影式，工藝節點爲180nm ~ 130nm範圍。
- 今年六月份有消息傳出，國產光刻機龍頭上海微電子將在一年內交付用於28nm製程生產的193nm ArF光刻機。
- 而卡住國產半導體產業鏈“脖子”的，則是技術壁壘較高的有掩模光刻機，有掩模光刻機目前多用於先進製程的前道工藝中。
3月9日上午，荷蘭光刻機巨頭阿斯麥（ASML）發佈聲明表示，ASML預計必須申請許可證方可出口DUV設備。 飛利浦軒泰和明基MindDuo，在材質做工、轉軸調節、調光調色和照度及照度均勻度方面，表現都較優秀，是千元級檯燈該有的水平，不過，對比其他二三百元檯燈，光電錶現上其實並不突出。 5）若是學生黨，預算在100元或以下，推薦不到百元的雷士Q86，這款照度均勻度、顯指、色溫和光譜等光電方面，都不拉胯，在這個價格裏算表現不錯，整機較小巧，適合宿舍或小桌面上使用，因是軟軸，缺點是高度調節上會有點受限。
上海微電子 duv: 照度與均勻度
奧普光電的K9光學玻璃、人造螢石（CaF2)等高端光學材料供應給肖特蔡司，而肖特蔡司是荷蘭ASML光刻機透鏡系統光學元件供應商。 機械手即工業機器人，通常指應用在工業生產過程中，模仿人類手臂設計具有串聯多關節結構的機器人。 上海微電子 duv 機械手能模仿人手臂的某些動作功能，按固定程序抓取、搬運物件或操作工具的自動操作裝置。
最後，美不斷修改芯片，欲切斷14nm等先進工藝，中芯國際已經能夠量產14nm芯片等，良品率也達到了世界領先。 中芯國際此時不提14nm等先進工藝，國內廠商自然也知道其有，更何況，中芯國際先進工藝訂單已經飽和。 據預計，2022年中國光刻機市場規模將達到27億美元。 此外，還有北京華卓精科科技股份有限公司、北京科益虹源光電技術有限公司等，國內光刻機市場正在國家政策的支持下飛速發展。
上海微電子 duv: 公司在研項目：
來自於中國臺灣的臺積電，是全球最領先的芯片製造企業，是獨一檔的超級玩家，但是，在光刻機等晶圓製造流程中有大量美國技術，無奈之下， 不敢給華爲生產麒麟芯片，讓擁有頂尖芯片設計能力的華爲海思如鯁在喉。 2002年以前，業界普遍認爲193nm的光源無法實現65nm的分辨率，而157nm光源將成爲主流技術。 然而，157nm光刻技術遭遇到了來自光刻機透鏡的巨大挑戰。 這是由於絕大多數材料會強烈地吸收157nm的光能，只有CaF2 勉強可以使用。
一臺光刻機包含了光學系統、微電子系統、計算機系統、精密機械繫統和控制系統等構件，這些構件都使用了當今科技發展的尖端技術[1]。 根據已有專利信息可知，長光所已經可以實現離軸光學系統、超高重頻窄脈寬CO2激光器、極紫外光聚焦反射系統等光刻機子系統。 其分化出來的上海光機所在EUV核心的液滴錫靶領域取得了較大突破。
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因此繼續使用Immersion DUV 設備進行7nm 以下製程的開發已近乎不可能了，或者說開始不具備實際經濟效益了。 由於起步較早，日美企業在光刻膠領域的專利積累優勢巨大。 在產業化技術能力上，國際光刻膠企業針對核心產品建立了較全面的專利體系和地區覆蓋。 其中，ArF光刻機涉及幹法和浸沒式兩種工藝（區別在於鏡頭和光刻膠之間的介質是空氣還是液體），ArF光刻膠也對應分爲幹法和浸沒式兩類。 上海微電子 duv2025 上海微電子 duv EUV光刻膠則是製造難度最高的產品，也是7nm及以下製程芯片加工過程中的核心原材料。
上海微電子 duv: 華爲能快速掌握光刻機生產技術嗎？
所以，很多資料都認爲，綜合考慮下來，就算加上浸沒式光刻和多重曝光，造7nm芯片也幾乎是DUV光刻設備的天花板了。 上海微電子 duv 聲稱EUV光刻設備中有20%的美國零件，想要出口必須徵求他們的同意。 2018年，中國的中芯國際，拿出了相當於它全年利潤的1.2億歐元，向ASML訂購了中國第一臺EUV光刻設備。 也是打出一束光，穿過一組透鏡系統，再穿過一層掩膜版，就能把掩膜版上刻着的電路圖，投射到製作芯片的襯底，也就是晶圓片上。 但三星問題還不只於此，就連存儲器製程發展近日也被內部工程人員爆出，其基於12-13nm的第五代DRAM製程1β進展不順利，計劃跳過該製程，直攻基於11nm的1γ製程。 B、接近式曝光（Proximity Printing）。
上海微電子 duv: 中國 28nm 光刻機年底交付 望突破美日荷封鎖
｜EUV光罩/掩模檢測：波長更短，檢測靈敏度更高傳統的檢查EUV 光掩膜的方法主要是將深紫外光（DUV）應用於光源中。 極紫外（EUV）的波長較DUV 更短，產品缺陷檢測靈敏度更高。 上海微電子 duv2025 EUV掩模版的檢測原理爲：電磁波輻射到細小缺陷顆粒上被散射形成暗場，這樣可以實現缺陷的檢測，系統採用364nm 的工作波長，對於基地大小爲88nm 的缺陷，檢測可行度爲97%。 EUV光罩（半導體線路的光掩模版、掩膜版）檢驗設備最近幾年需求增長尤其旺盛，在這個領域，日本的Lasertec Corp.是全球唯一的測試機製造商，持有全球市場100%的份額。 2018年5月，中芯國際（SMIC）訂購了一套極紫外光刻（EUV）設備，該設備來自荷蘭芯片設備製造商ASML，價值1.2億美元。 長江存儲的首臺光刻機同樣來自ASML，爲193nm浸潤式光刻機，售價7200萬美元，用於14 nm-20 nm工藝。
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而且美國硅谷的光刻機，幾乎全部都是從荷蘭進口的，阿斯麥的最大僱主是美國，美國對中國實施芯片制裁，阿斯麥自然要緊跟美國的步伐，禁止對中國出口光刻機。 在2018年的4月，中國曾向阿斯麥公司花1.2億訂購了一臺EUV光刻機，而荷蘭政府同意了這個交易。 美國數次聯繫荷蘭，禁止阿斯麥公司賣給中國EUV光刻機，最終 荷蘭放棄了這筆大生意，不願意交付光刻機。 技術封鎖或許對別的國家來説，是滅頂之災，但是對於中國來説，所有打不倒中國的，都只會讓中國更加強大。 儘管 美國不讓其他國家，賣給中國高端刻光機，想用這樣的方式限制中國高新技術的發展。 對此，Patel 指出，中芯國際工程師自己洩露了這些機器容易出現問題的投訴，中國並未製造出功能良好的 ArF 曝光機。
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晶圓檢測是指用探針對生產加工完成後的晶圓產品上的集成電路或半導體元器件功能進行測試，驗證是否符合產品規格。 離子注入是指將硼、磷、砷等離子束加速到一定能量，然後注入晶圓材料的表層內，以改變材料表層物質特性的工藝。 退火是指將晶圓放置於較高溫度的環境中，使得晶圓表面或內部的微觀結構發生變化，以達到特定性能的工藝。 雖然臺積電已經掌握了5nm芯片工藝，但是一直無法擺脫美國的限制，製造的芯片十分依賴荷蘭ASML公司的光刻機。 對於芯片的製造，應該大部分人十分清楚，光刻機是不可或缺的核心設備。 美國之所以實施“芯片禁令”，主要是因為中國沒有適合的芯片代工廠商可以完成芯片的製造，只能依靠臺積電這一代工廠商進行代工。
上海微電子 duv: 光刻機那麼貴，一臺光刻機一天能造多少芯片，能夠本嗎？
面對制裁，中國近年希望能把半導體生產的各種設備國產化，曝光機也是重要的一環。 最近中媒報導，上海微電子正極力研發28奈米DUV曝光機，預計在2023年底將國產第一臺SSA/800-10W曝光機交付市場。 控制像差一般需要很多透鏡共同作用，例如一個單反鏡頭有五到七枚透鏡共同成像。 如果我們在物體上取兩個相近的點，經過系統成像後平面上有兩個光斑，如果兩個點距離逐漸靠近，兩個光斑將逐漸變成一個光斑，這時我們就無法區分一個點成的像還是兩個點成的像了，這就是分辨率不足的體現。 芯片界有一個著名的定律——摩爾定律，即集成電路上可以容納的晶體管數目大約每24個月增加一倍，當然對應的理論性能也能增加一倍。
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「7nm」中的數字最初指的就是晶體管中的溝道長度，它也是區分半導體加工技術換代的重要標誌（當然現在的命名更多的是代表技術迭代，其實是要長於7nm的）。 上海微電子 duv2025 想把晶體管越做越小，自然需要更精密的刻刀——光刻機，所謂7nm光刻機就是光刻機能刻蝕的最大分辨率。 我們常說的芯片也就是集成電路，是指通過一系列特定平面製造工藝將各種元器件「集成」在一塊半導體單晶片上，並封裝在一個保護外殼內，這種複雜的電子系統能執行特定功能。 而縱觀整個芯片製造流程，其中最複雜也是最前沿的莫過於光刻機。 下圖是使用SAQP技術來製作Fin 結構的流程圖，最初光刻形成的4個pattern 在經過SAQP工藝後變成了16 個pattern, 並且尺寸也縮小爲原來的1/4。
上海微電子 duv: 中國機器視覺行業簡版分析報告
Intel 10nm製程下的MMP爲36nm，這個數值顯然已經超過了SADP 40nm附近的極限。 因此，Intel不得不引入自對準的四重曝光SAQP，理論上可以滿足22nm附近的最小特徵尺寸。 目前，Intel採用193nm浸潤式DUV+SAQP方案製造10nm工藝。 這是已知DUV中密度最高的工藝，最高理論密度約爲100.76MTr/mm2。
上海微電子 duv: 半導體｜檢測設備專題報告（前道量檢測設備）
另外，據方正證券今年發佈的相關研報，國家02專項光刻機項目二期曾設定，擬於2020年12月驗收由上海微電子設計集成的193nm ArF浸沒式DUV光刻機。 真正的原因是Intel的良率不能達到量產要求，或者說不能達到Intel自己的要求。 聰明的工程師們想到既然一次不能蝕刻的很細，多來幾次不就行了嗎？ 要10nm、7nm進而5nm、3nm，本質上就是要這些圖案儘可能的細小。 大家都學過高中物理，知道光有波粒二象性，光在通過窄縫時會有波的衍射現象，波長越長的光越容易衍射。 上海微電子 duv2025 爲了把pattern的圖形做的更小，我們必須選擇波長更短的光源。
上海微電子 duv: 方法一：減小光源波長
她認爲，中芯國際以DUV機臺能衝刺的製程極限至多到七奈米制程，有關晶片的良率一直是晶片代工的一大挑戰，再來，要大幅量產的成本也很高。 確實，在中國經濟動盪之際，華爲推出的七奈米手機給許多中國民衆打了一劑愛國主義強心劑。 在上海及深圳等大城華爲實體門市，排起了人龍搶購Mate 60 Pro手機。 要價近7000元人民幣（約955美元）的新機銷售一空。 機會可能出現在 2nm 製程, 如 14nm 製程 intel 經歷了長時間約 5年左右的製程提升與良率攀升的困境, 假設 2nm 也要經歷一個工藝障礙. MOSFET中漏極電流產生的原因是由於材料或製造工藝的不完美導致的。
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因爲根本不可能達到要求，結果高級主管自己帶頭造假，謊稱技術突破以及產品良率，反而傷害的企業的形象與營收。 該員工指出，公司內鬥文化嚴重，研發資源短缺，面對越來越高的技術挑戰門檻，在難以克服的情況下，只能應付了事，對上對外造假擺爛，導致半導體設計與代工事業發展嚴重遲滯，甚至連存儲器也可能步上代工的後塵，就此被競爭者超越。 爆料的員工表示，三星在存儲器事業大力推廣EUV設備其實是上層的面子工程要求，而非來自一線工程人員的專業決定，因爲他們覺得EUV設備技術上較先進，能帶來更好的形象。 上海微電子 duv2025 上海微電子 duv 上海微電子 duv2025 三星在媒體公關操作方面，一直強調他們拿到了多少EUV機臺，可以帶來更先進的製程和更好的產能表現，卻沒有揭露這些機臺的實際貢獻。
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如果平均值超出規定，可通過系統軟件中的自動補正來補正系統參數。 若重複補正多次都無法達到規定要求或任一參數的3d超出規格，可考慮通過調整粗對準單元裏的調整擋塊來調整晶圓進入時的X，y和位置[6]。 控制晶圓工作臺Z方向的自動對焦控制系統也是故障常發部位。 上海微電子 duv 由於鏡頭的熱脹冷縮、光刻膠的厚度及大氣壓力等因素會造成曝光成像位置偏移，故需要用自動對焦系統來調節。 若在成像區域外曝光，產品圖形中間開孔或溝槽圖形中間會產生模糊狀的“白邊”，從而影響後面工序製作的精準性。
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從分類來看，無掩模光刻機又可分爲電子束直寫光刻機、離子束直寫光刻機、激光直寫光刻機；有掩模光刻機分爲接觸/接近式光刻機和投影式光刻機。 上海微電子 duv 據方正證券今年發佈的一份研報，在02專項光刻機項目二期中，設定於2020年12月驗收193nm ArF浸沒式DUV光刻機，這款光刻機直接對標國際光刻龍頭ASML現階段最強DUV光刻機TWINSCAN NXT：2000i。 至於爲什麼Intel在10nm的節點不用EUV，我猜是2016那個時間節點EUV不成熟。
上海微電子 duv: 不能爲了錢，啥都賣！俄對印度轉讓導彈生產線，對付大國無人機！
正是看到中國市場的巨大前景，臺積電一方面赴美設廠，另一方面也在中國大陸擴張產能，希望從中國市場分羹，以確保業績的穩定，而且臺積電在成熟工藝製程上也確實更有優勢，這都是它與中國大陸芯片企業競爭的底氣。 對於臺積電來說堅持擴張南京工廠的產能，在於如今它也面臨着業績可能萎縮的壓力，由於它的最大客戶–美國芯片普遍砍單，導致它的先進工藝製程已出現產能過剩，無奈之下只能關閉部分EUV光刻機，並讓員工放假。 商務部數據顯示，2013年至今，國內面板市場發展迅速，2013～2020 年複合增長率達 36.48%。 從全球市場佔比來看，2013年至今，中國面板產能持續增長，在全球市場佔比已達到近50%。
當然，儘管在前道光刻機方面我們的差距還是很大，但上海微電子在後道光刻機上的實力可不弱。 在國內市場佔到了80%左右的份額，在全球市場也佔到40%份額。 上海微電子 duv2025 萬物生長靠太陽，高階晶片的發展如今也只能依靠先進光刻機，可能會有種不一樣的聲音，不是有晶片堆疊，不是有晶片封裝嗎？ 如果12nm的芯片成功量產，那也就意味着我們離擺脫依賴國外進口芯片的局面更進一步。 與此同時我們也避免了被西方國家扼住脖子的風險，所以這款芯片和光刻機對於我們的意義是非同尋常的。
上海微電子 duv: 光刻機能進口了！全球最大製造商ASML迴應，賣給中國DUV光刻機無需美國許可
EUV，也是一種光的名字：Extreme Ultra-violet（極紫外光）。 看名字就知道，這種光卷得更狠，波長可以短到只有13.5nm。 光刻膠依然沒被溶解的地方，相當於覆蓋了一層保護膜，而光刻膠被溶解了的地方，會直接接觸到腐蝕液，被“快、準、狠”地蝕刻出與電路圖相對應的溝溝壑壑。
上海微電子 duv: 光學設計難題二：精確成像
三星在14nm和10nm節點彷彿打了一個雞血，然後就萎了。 上海微電子 duv2025 三星的3nm只是臺積電5nm和Intel7nm的密度。 目的：a、減少駐波效應；b、激發化學增強光刻膠的PAG產生的酸與光刻膠上的保護基團發生反應並移除基團使之能溶解於顯影液。 這顆NPU所謂的立體結構，我覺得應該是指不同的邏輯區都能夠調用所謂的算子，也就是ALU吧，ALU數量龐大，以至於能同時響應並計算多方需求。 回到海思麒麟810身上，它的NPU當然不是上述這麼理想且飄渺的東西，本質上依然是DSP芯片，也就是俗稱的DPU，當然也沒有集成憶阻。
當然，要想在光刻機技術方面實現突破，除了廠商自身加大投資研外，還需要供應鏈以及上下游市場的支持。 這一切問題都需要系統中任一部分完美配合才能達到，因此EUV光刻機要比你想像的大——大約一輛公共汽車那麼大。 每臺機器發貨需要40個集裝箱、3架貨機或者20輛卡車——賣家是不可能包郵的（狗頭）。 但這種液體要求非常嚴格：與光刻膠沒有反應，光透過率高，折射率高，還要穩定。 人們能採取的方法主要就是改變環境的折射率（折射率越大，數值孔徑就越大），於是浸入式光刻機應運而生。 1999年，IBM使用257nm的浸入式干涉系統製作出精度89nm的圖形，但未進行深入的研究。
上海微電子 duv: VeritySEM® 10 關鍵尺寸 (CD) 量測技術
畢竟，中芯國際先進工藝基本上都來自國內一家廠商，該廠商的需求是巨大的。 另外，美不斷修改規則，限制先進工藝發展，中芯國際撤下相關芯片，併入28nm等工藝，也是爲了更好地發展，從而更好地獲得原材料等產品。 更何況，中芯國際早就完成7nm研發任務，5nm也在研發中，N+1工藝也小規模試產了。 中芯國際將2023年的資本開支定在430億元以上，並表示將根據需求擴大28nm等工藝產能，實際上就是爲了更好的發展先進工藝。 因爲各大廠商都在擴大成熟工藝產能，必然會導致成熟工藝產能過剩，中芯國際提前佈局，就是防止產能過剩，因爲設備折舊會造成了巨大的損失。 芯片工藝5-7年更新一代，中芯國際預計年底有摺合8寸晶圓超70萬的產能，在這樣的情況，自然要更多資金用於先進工藝研發。
上海微電子 duv: 全球光刻機行業發展現狀及競爭格局分析，國內光刻機市場正在國家政策的支持下飛速發展「圖」
而上海微電子裝備和其它的中國同業，主要把產品賣給中國國內晶圓廠的廠商為最大的受惠者。 曝光機可分為DUV、EUV兩大類，目前由荷蘭ASML佔絕對壟斷地位，日本的尼康(Nikon)、佳能(Canon)也有很強的實力。 在最先進製程的EUV曝光機方面，中國相比於外國起步晚了50年，像是上海微電子的技術就與國外巨頭有很大的差距。 而EUV 的引入，大大減少了工藝的複雜程度，7nm EUV 所需光刻工藝step 數和 20nm DUV 的step 數差不多，因此EUV 的引入使得7nm 以下製程的繼續開發成爲可能，摩爾定律也得以繼續存活。 此外，荷蘭政府在3月8日表示，計劃對半導體技術出口實施新的管制，這些管制措施將在今天夏天之前開始實施。
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不懂不要亂講，目前業界的共識是3nm以前沒有不可逾越的障礙。 3nm以後還需要開發，但是路徑還是明確的，1nm之後目前還不知道怎麼走，但是也不代表完全走不下去。 多家中國電商網站上出現背後印有雷蒙多頭像的新款手機外殼，微博則有網友後製的諷刺圖片，雷蒙多成爲華爲手機代言人，標題“我是雷蒙多，這次我爲華爲代言”。
